SQJ461EP-T1_NE3

Name: Vishay SQJ461EP-T1_NE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQJ461EP-T1_NE3
Price: 2.75 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

78-SQJ461EP-T1_NE3

N° de fab. :

SQJ461EP-T1_NE3

Fab. :

Vishay Semiconductors

Description :

MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Cycle de vie:

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Fiche technique:

SQJ461EP-T1_NE3 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Vishay
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerPAK SO-8L-4
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	16 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	90 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	GB
Temps de descente:	22 ns
Transconductance directe - min.:	40 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	10 ns
Série:	SQJ461EP
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	70 ns
Délai d'activation standard:	16 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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SQJ461EP-T1_NE3

Fab. : Vishay Semiconductors

Description : MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

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