LMG3526R050RQST

FET GaN LMG3526R050 650 V

Le FET GaN 650 V LMG3526R050 Texas Instrument avec pilote et protection intégrés cible les convertisseurs de puissance à découpage et permet aux concepteurs d'atteindre de nouveaux niveaux de densité de puissance et d'efficacité. Le LMG3526R050 intègre un pilote en silicium qui permet des vitesses de commutation allant jusqu'à 150 V/ns. TI offre une polarisation de grille de précision intégrée, ce qui entraîne une SOA de commutation plus élevée que les pilotes de grille discrets en silicium. Cette intégration, combinée au boîtier à faible inductance de TI, offre une sonnerie minimale et une commutation propre dans les topologies d'alimentation à commutation dure. La force d'entraînement de grille réglable permet de contrôler la vitesse de balayage de 15 V/ns à 150 V/ns. Ce contrôle peut être utilisé pour contrôler les EMI et optimiser activement les performances de commutation.