INA848ID

Texas Instruments
595-INA848ID
INA848ID

Fab. :

Description :
Amplificateurs d’instrumentation Ultra-low-noise hig h-bandwidth instrume A 595-INA848IDR

Modèle de ECAO:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
17,11 € 17,11 €
13,63 € 136,30 €
12,02 € 300,50 €
11,63 € 872,25 €
11,31 € 3 393,00 €
11,09 € 5 822,25 €
11,03 € 11 581,50 €
2 550 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Texas Instruments
Catégorie du produit: Amplificateurs d’instrumentation
RoHS:  
INA848
1 Channel
2.8 MHz
45 V/us
132 dB
25 nA
10 uV
36 V
8 V
6.2 mA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
SOIC-8
Tube
Type d'amplificateur: High-Bandwidth
Marque: Texas Instruments
Pays d’assemblage: MY
Pays de diffusion: DE
Pays d'origine: MY
en - Densité de bruit de la tension d'entrée: 1.3 nV/sqrt Hz
Erreur de gain: 0.05 %
Gain V/V: 2000 V/V
PGB - Produit gain-bande passante: 2.8 MHz
In : densité du courant de bruit d'entrée: 1.85 pA
Ios - Courant de décalage d'entrée: 2 nA
Sensibles à l’humidité: Yes
Courant de sortie par canal: 30 mA
Produit: Instrumentation Amplifiers
Type de produit: Instrumentation Amplifiers
PSRR - Taux de réjection de l'alimentation: 150 dB
Arrêt: No Shutdown
Nombre de pièces de l'usine: 75
Sous-catégorie: Amplifier ICs
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Attributs sélectionnés: 0

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CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

Amplificateur d'instrumentation à gain fixe INA848

L’amplificateur d’instrumentation à gain fixe INA848 de Texas Instruments est optimisé pour des mesures de haute précision, telles que des signaux d’entrée différentiels très petits et rapides. La topologie super-bêta de TI fournit un courant de polarisation en entrée et un bruit de courant très faibles. Les transistors bien adaptés aident à atteindre un très faible décalage et une très faible dérive de décalage. L'adaptation des résistances internes produit un rapport de réjection en mode commun élevé de 132 dB sur l'ensemble de la plage de tension d'entrée et une très faible erreur de dérive de gain de 5 ppm/C (max).