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CSD86330Q3D

Name: Texas Instruments CSD86330Q3D
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD86330Q3D
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

595-CSD86330Q3D

N° de fab. :

CSD86330Q3D

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET

Fiche technique:

CSD86330Q3D Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,30 €	2,30 €
	1,52 €	15,20 €
	1,11 €	111,00 €
	0,929 €	464,50 €
	0,869 €	869,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,869 €	2 172,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LSON-CLIP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	4.5 A
Vgs - Tension grille-source:	- 5 V, 5 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.1 V, 1.6 V
Qg - Charge de grille:	6.2 nC, 12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	6 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Kit de développement:	CSD86330EVM-717, TPS40322EVM-679
Temps de descente:	1.9 ns, 4.2 ns
Transconductance directe - min.:	52 S, 82 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7.5 ns, 6.3 ns
Série:	CSD86330Q3D
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	8.5 ns, 15.8 ns
Délai d'activation standard:	4.9 ns, 5.3 ns
Poids de l''unité:	64 mg

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CSD86330Q3D Fiche technique

Application Notes

Images

Function Diagram

PCN

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TI N-Channel 8-23-12

MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments

Les MOSFET de puissance NexFET™ Texas Instruments fournissent une charge de grille réduite de moitié pour la même résistance, afin de permettre aux concepteurs d'obtenir des rendements d'alimentation électrique de 90 % avec une fréquence double. Les MOSFET de puissance NexFET de TI combinent un flux de courant vertical à un MOSFET de puissance latéral. Ces composants fournissent une faible résistance en fonctionnement et nécessitent une charge de grille extrêmement faible dans un format de boîtier aux standards de l'industrie. Une telle combinaison n'était pas possible auparavant avec les plates-formes sur silicone existantes. La technologie MOSFET de puissance NexFET de TI améliore le rendement énergétique dans les calculateurs, les réseaux, les systèmes de serveurs et les sources d’alimentation de haute puissance.
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Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.