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CSD19537Q3

Name: Texas Instruments CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19537Q3
Price: 1.51 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

595-CSD19537Q3

N° de fab. :

CSD19537Q3

Fab. :

Texas Instruments

Description :

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

Fiche technique:

CSD19537Q3 Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,51 €	1,51 €
	0,963 €	9,63 €
	0,642 €	64,20 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,642 €	1 605,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

CSD19537Q3T

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

1,84 €

Min.:

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Fab. :

Texas Instruments

N° de fab. :

CSD19537Q3T

Description :

MOSFET 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Texas Instruments
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	VSON-CLIP-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	50 A
Rds On - Résistance drain-source:	14.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Qg - Charge de grille:	16 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	83 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	NexFET
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	3 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	3 ns
Série:	CSD19537Q3
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Poids de l''unité:	24 mg

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Fiche technique

CSD19537Q3 Fiche technique

Models

CSD19537Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET N-Channel Power MOSFETs

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