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STWA60N035M9

Name: STMicroelectronics STWA60N035M9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA60N035M9
Price: 7.07 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STWA60N035M9

N° de fab. :

STWA60N035M9

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads

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Fiche technique:

STWA60N035M9 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	62 A
Rds On - Résistance drain-source:	35 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	112 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	321 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	4.2 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 nc
Série:	MDmesh M9
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	81 ns
Délai d'activation standard:	28 ns

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance M9 MDmesh™

Les MOSFET de puissance MDmesh™ M9 STMicroelectronics intègrent une structure de dispositif améliorée, une faible résistance à l'état passant et de faibles valeurs de charge de grille. Ces MOSFET de puissance offrent une robustesse dv/dt élevée de diode inverse et de MOSFET, une haute densité de puissance et de faibles pertes par conduction. Les MOSFET de puissance MDmesh M9 offrent également une vitesse de commutation élevée, un haut rendement et de faibles pertes de puissance de commutation. Ces MOSFET de puissance sont conçus avec une technologie innovante de super-jonction à haute tension qui fournit un facteur de mérite (FoM) impressionnant. Le FoM élevé permet des niveaux de puissance et une densité plus élevés pour des solutions plus compactes. Les applications typiques comprennent les serveurs, les centres de données télécoms, les stations d'alimentation 5G, les microonduleurs et les chargeurs rapides.