STW75N65DM6-4

STMicroelectronics
511-STW75N65DM6-4
STW75N65DM6-4

Fab. :

Description :
MOSFET N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package

Modèle de ECAO:
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En stock: 552

Stock:
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Délai usine :
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Minimum : 1   Multiples : 1
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Ext. Prix:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
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12,48 € 12,48 €
9,33 € 93,30 €
7,41 € 889,20 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
75 A
36 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
118 nC
- 55 C
+ 150 C
480 W
Enhancement
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Temps de descente: 10 ns
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 18 ns
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 130 ns
Délai d'activation standard: 40 ns
Poids de l''unité: 6,080 g
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh DM6 N-channel Power MOSFETs are part of the MDmesh™ DM6 fast-recovery diodes. These automotive-grade N-channel power MOSFETs offer very low recovery charge (Qrr) and recovery time (trr), combined with low RDS(on). The DM6 power MOSFETs feature low gate charge, low input capacitance, low on-resistance, high dv/dt ruggedness, and Zener-protection. These power MOSFETs are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.