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STQ1NK60ZR-AP

Name: STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STQ1NK60ZR-AP
Price: 0.79 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STQ1NK60ZR-AP

N° de fab. :

STQ1NK60ZR-AP

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 13 Ohm typ., 0.3 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET i

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Fiche technique:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	0,791 €	0,79 €
	0,493 €	4,93 €
	0,321 €	32,10 €
	0,247 €	123,50 €
	0,223 €	223,00 €
Ammo Pack complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,191 €	382,00 €
	0,174 €	696,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-92-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	300 mA
Rds On - Résistance drain-source:	15 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	4.9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	3 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	SuperMESH
Conditionnement:	Ammo Pack
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	28 ns
Transconductance directe - min.:	0.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5 ns
Série:	STQ1NK60ZR
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel Power MOSFET
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	5.5 ns
Poids de l''unité:	453,600 mg