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STPSC406B-TR

Name: STMicroelectronics STPSC406B-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC406B-TR
Price: 2.16 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STPSC406B-TR

N° de fab. :

STPSC406B-TR

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Diodes Schottky SiC 600 V Power Schottky Diode

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Fiche technique:

STPSC406B-TR Fiche technique (PDF)

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	2,16 €	2,16 €
	1,39 €	13,90 €
	0,955 €	95,50 €
	0,762 €	381,00 €
	0,705 €	705,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,705 €	1 762,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK
Configuration:	Single
If - Courant direct:	4 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	600 V
Vf - Tension directe:	1.9 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	14 A
Ir - Courant inverse:	50 uA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STPSC
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Poids de l''unité:	1,700 g

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Fiche technique

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PCN

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 8541100901
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.