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STP8N120K5

Name: STMicroelectronics STP8N120K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP8N120K5
Price: 5.2 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STP8N120K5

N° de fab. :

STP8N120K5

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	6 A
Rds On - Résistance drain-source:	2 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	13.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	130 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	27 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	11 ns
Série:	STP8N120K5
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	15.5 ns
Poids de l''unité:	2 g

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Fiche technique

STP8N120K5 Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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