STP34NM60N

STMicroelectronics
511-STP34NM60N
STP34NM60N

Fab. :

Description :
MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch

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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
29 A
92 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
84 nC
- 55 C
+ 150 C
210 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marque: STMicroelectronics
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Type de produit: MOSFETs
Série: STP34NM60N
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel
Poids de l''unité: 2 g
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

N-channel Power MOSFETs

STMicroelectronics offers a variety of new high-performance N-channel power MOSFETs. The STmicroelectronics STD8N65M5 and STP8N65M5 are N-channel 650V, 0.56Ω, 7A MDmesh™ V power MOSFETs. The STD8N65M5 comes in a DPAK package while the STP8N65M5 comes in a TO-220. The STL17N3LLH6 is an N-channel 30V, 17A STripFET™ VI DeepGATE power MOSFET that exhibits the lowest on-resistance in a standard package. The STMicroelectronics STL85N6F3 N-channel, 60V STripFET™ 2 power MOSFET shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalanche characteristics, and low gate charge. The STP34NM60N N-channel second generation MDmesh MOSFET features low input capacitance and gate charge, making it suitable for the most demanding high efficiency converters.