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STL12N60M2

Name: STMicroelectronics STL12N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL12N60M2
Price: 1.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STL12N60M2

N° de fab. :

STL12N60M2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

MOSFET N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

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Fiche technique:

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Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,99 €	1,99 €
	1,28 €	12,80 €
	0,869 €	86,90 €
	0,691 €	345,50 €
	0,663 €	663,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,612 €	1 836,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PowerFLAT-5x6-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	6.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	495 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	16 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	52 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	MDmesh
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	18 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9.2 ns
Série:	STL12N60M2
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	56 ns
Délai d'activation standard:	9.2 ns
Poids de l''unité:	76 mg

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Fiche technique

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PCN

Product Change Notification (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance MDmesh™ II

Les MOSFET de puissance STMicroelectronics MDmesh™ II associent une structure verticale à la disposition en bande de STM pour obtenir l'un des plus bas niveaux de résistance à l'état passant et de charge de grille de l'industrie, les rendant ainsi adaptés à la plupart des convertisseurs haute efficacité les plus exigeants. Ces MOSFET de puissance MDmesh™ II sont entièrement isolés, sont fournis dans un boîtier à profil mince avec une ligne de fuite accrue entre la broche et la platine du dissipateur de chaleur. Ils sont 100 % testés en mode avalanche et offrent une capacité en entrée, une charge de grille et une résistance d'entrée de grille faibles.
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