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STGWT80H65DFB

Name: STMicroelectronics STGWT80H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWT80H65DFB
Price: 5.98 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGWT80H65DFB

N° de fab. :

STGWT80H65DFB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd

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Fiche technique:

STGWT80H65DFB Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-3P
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.6 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	120 A
Pd - Dissipation d’énergie :	469 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGWT80H65DFB
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	80 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	300
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6,756 g

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Fiche technique

STGWT80H65DFB Fiche technique (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 650 V HB

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série HB 650 V STMicroelectronics sont des IGBT développés à l'aide d'une structure exclusive avancée de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ces dispositifs représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (Vce_(sat)) jusqu'à 1,6 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE_(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr.
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Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low R_DS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.