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STGWA30IH160DF2

Name: STMicroelectronics STGWA30IH160DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30IH160DF2
Price: 4.51 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGWA30IH160DF2

N° de fab. :

STGWA30IH160DF2

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 1600 V, 30 A, soft-switching IH2 series IGBT

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Fiche technique:

STGWA30IH160DF2 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.6 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.77 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	85 A
Pd - Dissipation d’énergie :	395 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBTs
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	6,100 g

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Fiche technique

STGWA30IH160DF2 Fiche technique (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

L'IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2 de STMicroelectronics a été créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt. Les performances sont optimisées tant au niveau des pertes de conduction que des pertes de commutation pour une commutation douce. Une diode de roue libre avec une faible chute de tension directe est incluse. Le STGWA30IH160DF2 de STMicro est spécialement conçu pour maximiser l'efficacité de toutes les applications résonnantes et à commutation douce. Le dispositif est disponible dans un boîtier TO-247 à broches longues.