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STGW8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGW8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW8M120DF3
Price: 4 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STGW8M120DF3

N° de fab. :

STGW8M120DF3

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 8 A low loss

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Fiche technique:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.85 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	16 A
Pd - Dissipation d’énergie :	167 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	M
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 uA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	6 g

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Fiche technique

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.