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STGW30H60DFB

Name: STMicroelectronics STGW30H60DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30H60DFB
Price: 2.57 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

511-STGW30H60DFB

N° de fab. :

STGW30H60DFB

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

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Fiche technique:

STGW30H60DFB Fiche technique (PDF)

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	0,929 €	92,90 €
	0,903 €	541,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.55 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	60 A
Pd - Dissipation d’énergie :	260 W
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	STGW30H60DFB
Conditionnement:	Tube
Marque:	STMicroelectronics
Courant de collecteur continu Ic max.:	30 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Courant de fuite gâchette-émetteur:	250 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	IGBTs
Poids de l''unité:	38 g