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STDRIVEG212QTR

Name: STMicroelectronics STDRIVEG212QTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG212QTR
Price: 2.27 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

511-STDRIVEG212QTR

N° de fab. :

STDRIVEG212QTR

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

Commandes de grilles High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches

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Fiche technique:

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	1,69 €	16,90 €
	1,55 €	38,75 €
	1,38 €	138,00 €
	1,31 €	327,50 €
	1,26 €	630,00 €
	1,23 €	1 230,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,19 €	3 570,00 €
	1,16 €	6 960,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	Gate Driver
Type:	Half-Bridge
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-18
Nombre de pilotes:	2 Driver
Nombre de sorties:	3 Output
Courant de sortie:	1.8 A
Tension d’alimentation - Min.:	10.3 V
Tension d’alimentation - Max.:	18 V
Configuration:	Inverting, Non-Inverting
Temps de montée:	22 ns
Temps de descente:	13 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	STMicroelectronics
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Kit de développement:	EVLSTDRIVEG212
Délai de désactivation max.:	65 ns
Délai d'activation max.:	65 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Courant d'alimentation de fonctionnement:	900 uA
Tension de sortie:	220 V
Type de produit:	Gate Drivers
Temps de propagation maximal:	65 ns
Rds On - Résistance drain-source:	4.8 Ohms
Arrêt:	Shutdown
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Nom commercial:	STDRIVE

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MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Pilote de grille à demi-pont 220 V STDRIVEG212

Le pilote de grille à demi-pont haute vitesse 220 V STDRIVEG212 de STMicroelectronics est optimisé pour les HEMT GaN de pilotage en mode enrichi 5 V. La section du pilote côté haut est conçue pour prendre en charge un rail de tension atteignant 220 V et peut être alimentée facilement par la diode de bootstrap intégrée. La capacité de haute intensité, le retard de propagation court avec un excellent ajustement du retard et les LDO intégrées rendent le STDRIVEG212 optimisé pour le pilotage de transistors GaN à haute vitesse.