Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

SCT070HU120G3AG

Name: STMicroelectronics SCT070HU120G3AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT070HU120G3AG
Price: 11.7 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

511-SCT070HU120G3AG

N° de fab. :

SCT070HU120G3AG

Fab. :

STMicroelectronics

Description :

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Complétez votre conception

Fiche technique:

SCT070HU120G3AG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de STMicroelectronics SCT070HU120G3AG

En stock: 3

Stock:: 3 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	11,70 €	11,70 €
	8,01 €	80,10 €
	7,17 €	717,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 600)
	6,79 €	4 074,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	STMicroelectronics
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HU3PAK-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	30 A
Rds On - Résistance drain-source:	87 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.2 V
Qg - Charge de grille:	37 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	223 W
Mode canal:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101
Marque:	STMicroelectronics
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	JP
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	JP
Temps de descente:	9.9 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	26.6 ns
Nombre de pièces de l'usine:	600
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	17.6 ns
Délai d'activation standard:	18.7 ns

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

SCT070HU120G3AG Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-5-3 (PDF)

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics ont été développés développés à l’aide de la technologie de pointe et innovante SiC MOSFET de 2e/3e génération de S . Les composants sont dotés d’une faible résistance par unité de surface à l’état passant et de très bonnes performances de commutatio . Les MOSFET peuvent fonctionner à des températures très élevées (TJ = 200°C) et comportent une diode de structure interne très rapide et robuste.

MOSFET au carbure de silicium SCTx0N120

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium SCTx0N120 STMicroelectronics sont produits à partir de matériaux de pointe et innovants à grande largeur de bande. Ceci entraîne une résistance en fonctionnement par unité de surface inégalée et de très bonnes performances de commutation presque indépendamment de la température. Les propriétés thermiques exceptionnelles du matériau SiC et le boîtier exclusif HiP247™ permettent aux concepteurs d'utiliser un profil au standard industriel avec des capacités thermiques améliorées. Ces caractéristiques rendent les composants parfaitement adaptés aux applications à haut rendement et à haute densité d'alimentation.

MOSFET de puissance SiC 1 200 V 91 A SCTW70N120G2V

Le MOSFET de puissance SiC (carbure de silicium) 1 200 V 91 A SCTW70N120G2V de STMicroelectronics dispose d'une résistance à l'état passant minimale et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température, en raison des propriétés innovantes et avancées des matériaux à large bande interdite. Le SCTW70N120G2V offre également une diode de corps intrinsèque très rapide et robuste et des capacités de charge de grille et d'entrée extrêmement faibles. Une température nominale élevée de 200 °C permet une conception thermique améliorée des systèmes électroniques de puissance.