GANSPIN611TR

STMicroelectronics
511-GANSPIN611TR
GANSPIN611TR

Fab. :

Description :
Contrôleurs et pilotes de moteur / de mouvement / d'allumage 650 V enhancement mode GaN high-power density half-bridge with high-voltage driver

Cycle de vie:
Nouveau produit:
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En stock: 679

Stock:
679 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
52 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
8,94 € 8,94 €
6,91 € 69,10 €
6,59 € 164,75 €
5,72 € 572,00 €
5,46 € 1 365,00 €
4,98 € 2 490,00 €
4,38 € 4 380,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
4,27 € 12 810,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: Contrôleurs et pilotes de moteur / de mouvement / d'allumage
RoHS:  
Half-bridge Driver
Half-bridge with High-voltage Driver
10 A
900 uA
- 40 C
+ 125 C
SMD/SMT
QFN-35
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: STMicroelectronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: SG
Sensibles à l’humidité: Yes
Nombre de sorties: 1 Output
Fréquence de fonctionnement: 200 kHz
Type de produit: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Série: GANSPIN
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Tension d’alimentation - Max.: 18 V
Tension d’alimentation - Min.: 10.7 V
Nom commercial: GaNSPIN
Poids de l''unité: 194 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Demi-pont à haute densité de puissance GaN GANSPIN611

Le demi-pont à haute densité de puissance GaN GANSPIN611 de STMicroelectronics est un système de puissance en boîtier qui intègre deux transistors GaN en mode d’amélioration dans une configuration en demi-pont pilotée par un pilote de grille haute fréquence et haute tension à la pointe de la technologie. Les GaN intégrés de puissance présentent une RDS(ON)de 138 mΩ et une tension de rupture drain-source de 650 V, tandis que la diode intégrée d'amorçage peut facilement alimenter le côté haut du pilote intégré de grille.