R1LP0408DSP-5SI#B1

Renesas Electronics
968-R1LP0408DSP5SIB1
R1LP0408DSP-5SI#B1

Fab. :

Description :
SRAM SRAM 4MB X8 5V SOP 55NS -40TO85C

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 2 994

Stock:
2 994 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
12 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
7,71 € 7,71 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
R1LP0408DSP-5SI#S1
Conditionnement:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilité:
En stock
Prix:
9,38 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Renesas Electronics
Catégorie du produit: SRAM
RoHS:  
4 Mbit
512 k x 8
55 ns
Parallel
5.5 V
4.5 V
25 mA
- 40 C
+ 85 C
SMD/SMT
Tray
Marque: Renesas Electronics
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: SRAM
Série: R1LP0408D
Nombre de pièces de l'usine: 25
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

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TARIC:
8542324500
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320030
USHTS:
8542320041
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.a

Produits de mémoire et de stockage de données SRAM

Les produits de mémoire SRAM et de stockage de données de Renesas Electronics offrent des RAM haute densité et hautes performances utilisant des technologies SRAM de pointe à faible puissance. Ces produits SRAM fonctionnent sur une large plage de température de -40 °C à 85 °C et une plage de tension de 2,7 V à 3,6 V (partie 3 V) ou de 4,5 V à 5,5 V (partie 5 V). Les produits de mémoire SRAM et de stockage de données offrent également une dissipation de puissance en veille à faible puissance et sont adaptés aux applications de mémoire, au fonctionnement de batterie et aux conceptions de batteries de secours.

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