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QPD1028

Name: Qorvo QPD1028
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1028
Price: 1608.66 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

772-QPD1028

N° de fab. :

QPD1028

Fab. :

Qorvo

Description :

FET GaN 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Earl

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Qorvo
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	NI-780
Vds - Tension de rupture drain-source:	65 V
Id - Courant continu de fuite:	19 A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Pd - Dissipation d’énergie :	400 W
Marque:	Qorvo
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	US
Gain:	19.8 dB
Sensibles à l’humidité:	Yes
Alimentation en sortie:	750 W
Conditionnement:	Waffle
Type de produit:	GaN FETs
Série:	QPD1028
Nombre de pièces de l'usine:	18
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN SiC
Type de transistor:	HEMT

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USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Transistors 750 W QPD1028 et QPD1028L au GaN sur carbure de silicium (SiC)

Les transistors GaN sur SiC QPD1028 et QPD1028L 750 W de Qorvo sont des transistors discrets à haute mobilité d’électrons (HEMT) au nitrure de Gallium sur carbure de silicium (SiC) fonctionnant entre 1,2 GHz et 1,4 GHz. Ces composants fournissent 59 dBm de puissance de sortie saturée, avec 18 dB de gain des signaux forts et 70 % de rendement de drain. Les transistors QPD1028 et QPD1028L sont préadaptés en interne pour améliorer leurs performances et peuvent fonctionner en mode onde entretenue (CW) comme en mode pulsé.