MC33GD3000EPR2

NXP Semiconductors
841-MC33GD3000EPR2
MC33GD3000EPR2

Fab. :

Description :
Contrôleurs et pilotes de moteur / de mouvement / d'allumage Brushless DC Motor Gate Driver, 3-Phase, 5-60V, 1A, QFN 56

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
24 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 2000   Multiples : 2000
Prix unitaire:
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2,76 € 11 040,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:
Conditionnement:
Tray
Disponibilité:
En stock
Prix:
5,04 €
Min.:
1

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
NXP
Catégorie du produit: Contrôleurs et pilotes de moteur / de mouvement / d'allumage
RoHS:  
Fan / Motor Controllers / Drivers
3 Phase
1 A to 2.5 A
10 mA
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
HVQFN-56
Reel
Marque: NXP Semiconductors
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Tension de sortie: 4.5 V to 5.5 V
Type de produit: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
Série: GD3000
Nombre de pièces de l'usine: 2000
Sous-catégorie: PMIC - Power Management ICs
Tension d’alimentation - Max.: 60 V
Tension d’alimentation - Min.: 6 V
Raccourcis pour l'article N°: 935316315528
Poids de l''unité: 0,001 mg
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

Pré-pilotes de moteur triphasés brushless GD3000

Les pré-pilotes de moteur triphasé brushless GD3000 deNXP Semiconductors sont des CI de pilote de grille à haut rendement pour les applications d’entraînement de moteur triphasé. Le GD3000 de NXP Semiconductors dispose de trois pilotes à demi-pont, chacun capable de piloter deux MOSFET à canal N. Avec une capacité de courant de crête allant de 1 A à 2,5 A, ce pré-pilote fonctionne sur une seule alimentation avec une large plage de 6 V à 60 V et intègre une protection transitoire de 75 V. Utilisant une architecture de pilote de grille d’amorçage avec un circuit de charge de compensation, le GD3000 prend en charge un rapport cyclique de 100 %. De plus, il utilise une protection contre la diaphonie programmable pour empêcher le flux de courant pendant la commutation MOSFET côté haut ou côté bas. La détection VDS intégrée des deux MOSFET protège l’étage de puissance externe contre les conditions de surintensité. L’inclusion d’un amplificateur de shunt de courant permet une mesure précise du courant pour la détection d’erreur de phase.