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MSC025SMA120B

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N° Mouser :

494-MSC025SMA120B

N° de fab. :

MSC025SMA120B

Fab. :

Microchip Technology

Description :

SiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247

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Fiche technique:

MSC025SMA120B Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	113 A
Rds On - Résistance drain-source:	31 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.9 V
Qg - Charge de grille:	232 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	577 W
Mode canal:	Enhancement
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	25 ns
Conditionnement:	Tube
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	15 ns
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Délai de désactivation type:	38 ns
Délai d'activation standard:	63 ns
Poids de l''unité:	6 g

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC)

Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology constituent une option innovante pour les concepteurs d'électronique de puissance qui cherchent à améliorer l'efficacité du système, à en réduire le facteur de forme et à augmenter la température de fonctionnement de produits couvrant les segments de marché industriel, médical, militaire/aérospatial, aéronautique et des communications. Les MOSFET au SiC et les diodes à barrière Schottky (SBD) au SiC de nouvelle génération de Microchip sont conçus avec une capacité répétitive et élevée de commutation inductive non bridée (UIS) et ses MOSFET au SiC conservent une capacité UIS élevée d'environ 10 J/cm² à 15 J/cm² et une protection robuste contre les courts-circuits de 3 à 5 ms. Les SBD SiC de Microchip Technology sont conçus avec un courant de choc, une tension directe, une résistance thermique et une capacité thermique équilibrés à de faibles courants inverses pour une perte de commutation réduite. Les MOSFET SiC et les SBD SiC peuvent aussi être combinés pour être utilisés dans des modules.

MOSFET au carbure de silicium (SiC)

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology offrent des performances dynamiques et thermiques supérieures à celles des MOSFET de puissance au silicium (Si) conventionnels. Ces MOSFET ont de faibles capacités, une faible charge de grille, une vitesse de commutation rapide et une bonne robustesse en avalanche. Les MOSFET SiC peuvent stabiliser le fonctionnement à une température de jonction élevée de 175 °C. Ces MOSFET offrent un haut rendement avec de faibles pertes de commutation. Les MOSFET SiC ne nécessitent pas de diodes de roue libre. Les applications standard incluent la transmission et la distribution de réseaux intelligents, le chauffage et la soudure par induction, ainsi que l’alimentation et la distribution.