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ISC016N08NM8SCATMA1

Name: Infineon ISC016N08NM8SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-ISC016N08NM8SCAT
Price: 5.54 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

726-ISC016N08NM8SCAT

N° de fab. :

ISC016N08NM8SCATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

ISC016N08NM8SCATMA1 Fiche technique (PDF)

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	2,39 €	1 195,00 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-WSON-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	269 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.54 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	76 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	263 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	7.2 ns
Transconductance directe - min.:	55 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.1 ns
Série:	OptiMOS 8
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	28 ns
Délai d'activation standard:	14 ns
Raccourcis pour l'article N°:	ISC016N08NM8SC SP006195339