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IPTA60R180CM8XTMA1

Name: Infineon IPTA60R180CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPTA60R180CM8XTM
Price: 2.33 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPTA60R180CM8XTM

N° de fab. :

IPTA60R180CM8XTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET HIGH POWER_NEW

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

IPTA60R180CM8XTMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,33 €	2,33 €
	1,51 €	15,10 €
	1,04 €	104,00 €
	0,831 €	415,50 €
	0,782 €	782,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2000)
	0,742 €	1 484,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LHSOF-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	18 A
Rds On - Résistance drain-source:	180 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.7 V
Qg - Charge de grille:	17 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	119 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	12.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6 ns
Série:	600V CM8
Nombre de pièces de l'usine:	2000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	88.4 ns
Délai d'activation standard:	17.2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPTA60R180CM8 SP005728611

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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