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IPD65R950CFDATMA2

Name: Infineon IPD65R950CFDATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD65R950CFDATMA
Price: 1.48 EUR
Availability: Discontinued

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-IPD65R950CFDATMA

N° de fab. :

IPD65R950CFDATMA2

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET LOW POWER_LEGACY

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IPD65R950CFDATMA2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,48 €	1,48 €
	0,937 €	9,37 €
	0,624 €	62,40 €
	0,491 €	245,50 €
	0,449 €	449,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,392 €	980,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	650 V
Id - Courant continu de fuite:	3.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	950 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	14.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	36.7 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	13.8 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.5 ns
Série:	CFD2
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	43 ns
Délai d'activation standard:	9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPD65R950CFD SP001977060
Poids de l''unité:	330 mg