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IPD60R650CEAUMA1

Name: Infineon IPD60R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPD60R650CEAUMA1
Price: 0.83 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IPD60R650CEAUMA1

N° de fab. :

IPD60R650CEAUMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET CONSUMER

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IPD60R650CEAUMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,834 €	0,83 €
	0,651 €	6,51 €
	0,435 €	43,50 €
	0,338 €	169,00 €
	0,307 €	307,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,261 €	652,50 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	9.9 A
Rds On - Résistance drain-source:	540 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	20.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	82 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Temps de descente:	11 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Série:	CoolMOS CE
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	58 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IPD60R650CE SP001396884
Poids de l''unité:	330 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

600V/650V CoolMOS™ CE N-Ch Power MOSFETs

Infineon 600V/650V CoolMOS™ CE N-Channel Power MOSFETs are designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. These 600V/650V CoolMOS™ MOSFETs are cost optimized to meet typical requirements in consumer with no compromise on proven CoolMOS™ quality and reliability while still been price attractive. These devices target low power chargers for mobile devices and power tools, LCD, LED TV and LED lighting applications.

MOSFET de puissance CE CoolMOS™

Les MOSFET de puissance CE CoolMOS™ Infineon sont une plate-forme technologique constituée de MOSFET de puissance haute tension conformément au principe de super-jonction (SJ) et conçue pour répondre intégralement aux besoins du consommateur. La gamme CE CoolMOS™ offre des dispositifs 500 V, 600 V et 650 V ciblés pour les chargeurs basse puissance de dispositifs mobiles et outils motorisés, les adaptateurs pour ordinateurs portables et les applications TV LED ou LCD ainsi que l'éclairage LED. Cette nouvelle série CoolMOS™ a été optimisée en termes de coût afin de répondre intégralement aux besoins du consommateur sans compromis sur la qualité et la fiabilité éprouvées de la gamme CoolMOS™ et tout en restant bon marché.
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