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IMZC120R007M2HXKSA1

Name: Infineon IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZC120R007M2HXK
Price: 34.52 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMZC120R007M2HXK

N° de fab. :

IMZC120R007M2HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

IMZC120R007M2HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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	34,52 €	34,52 €
	24,42 €	244,20 €
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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PG-TO247-4-U07
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	201 A
Rds On - Résistance drain-source:	20 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.1 V
Qg - Charge de grille:	176 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	711 W
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Enhancement
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	33.6 ns
Transconductance directe - min.:	60 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	21.5 ns
Série:	CoolSiC G2
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	SiC MOSFET
Délai de désactivation type:	76.3 ns
Délai d'activation standard:	32.4 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMZC120R007M2H SP006031756

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Fiche technique

IMZC120R007M2HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC ™ 1 200 V en carbure de silicium G2

Les MOSFET en carbure de silicium 1 200 V CoolSiC™ G2 d’Infineon Technologies offrent des solutions hautes performances pour les applications d’électronique de puissance. Ces MOSFET démontrent d’excellentes caractéristiques électriques et présentent de très faibles pertes de commutation permettant une exploitation efficace. Les MOSFET 1 200 V G2 sont conçus pour les conditions de surcharge, prenant en charge l’exploitation jusqu’à 200 °C et peuvent supporter des court-circuits jusqu’à 2 µs. Ces dispositifs disposent d’une tension de seuil de grille de référence de 4,2 V V_GS(th) et garantissent un contrôle précis. Le MOSFET CoolSiC 1 200 V G2 est disponible en trois boîtiers qui s’appuient sur les atouts de la technologie Generation 1 pour fournir des solutions avancées pour des systèmes plus optimisés en termes de coûts, efficaces, compacts, faciles à concevoir et fiables. La Generation 2 améliore considérablement les indicateurs clés de mérite pour les topologies à commutation dure/douce, idéales pour toutes les combinaisons courantes d’étages CC-CC, CA-CC et CC-CA.