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IMBG75R060M2HXTMA1

Name: Infineon IMBG75R060M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMBG75R060M2HXTM
Price: 6.25 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IMBG75R060M2HXTM

N° de fab. :

IMBG75R060M2HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IMBG75R060M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

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	2,97 €	2 970,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-263-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	29 A
Rds On - Résistance drain-source:	78 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 7 V, 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	20 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	116 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	MY
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	5 ns
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	5 ns
Série:	CoolSiC G2
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	7 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IMBG75R060M2H SP006098927

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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