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IAUCN04S7N010GATMA1

Name: Infineon IAUCN04S7N010GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN04S7N010GAT
Price: 1.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IAUCN04S7N010GAT

N° de fab. :

IAUCN04S7N010GATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

Cycle de vie:

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Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IAUCN04S7N010GATMA1 Fiche technique (PDF)

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	1,81 €	1,81 €
	1,16 €	11,60 €
	0,80 €	80,00 €
	0,678 €	339,00 €
	0,576 €	576,00 €
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	0,538 €	2 690,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-THSOG-4-1
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	252 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.04 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	59 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	123 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	OptiMOS
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	29 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	23 ns
Série:	OptiMOS 7
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	25 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Raccourcis pour l'article N°:	IAUCN04S7N010G SP005984384

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance OptiMOS™ 7 40 V pour l'automobile

Les MOSFET de puissance automobile OptiMOS™ 7 40 V d'Infineon Technologies sont des MOSFET à faible R_DS(on) et courant élevé avec un comportement de commutation optimisé. Ces MOSFET automobile à canal N offrent une densité de puissance élevée densité, de faibles pertes de conduction, et une densité de courant élevée. Les MOSFET OptiMOS™ 7 sont livrés dans un boîtier avancé sans fils de 3 mm x 3 mm avec Cu-Clip pour une faible Ron du boîtier et une inductance parasite minimale. Ces MOSFET sont testés en avalanche à 100 % et conforme à la directive RoHS. Les MOSFET OptiMOS™ 7 sont idéaux pour des applications telles que la distribution d'énergie, les vérins de vitres, les sièges électriques, les EPS à haute redondance et les modules de contrôle de carrosserie.