BFR843EL3E6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BFR843EL3E6327XT
BFR843EL3E6327XTSA1

Fab. :

Description :
Transistors bipolaires RF RF BIP TRANSISTORS

Fiche technique:
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6
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Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 15000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
0,671 € 0,67 €
0,429 € 4,29 €
0,352 € 35,20 €
0,336 € 168,00 €
0,323 € 323,00 €
0,311 € 777,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 15000)
0,311 € 4 665,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Infineon
Catégorie du produit: Transistors bipolaires RF
RoHS:  
Bipolar
SiGe
NPN
12 GHz
230
2.25 V
55 mA
SMD/SMT
TSLP-3
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Infineon Technologies
Pays d’assemblage: MY
Pays de diffusion: DE
Pays d'origine: DE
Pd - Dissipation d’énergie : 125 mW
Type de produit: RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 15000
Sous-catégorie: Transistors
Raccourcis pour l'article N°: BFR 843EL3 E6327 SP001062610
Poids de l''unité: 0,470 mg
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Attributs sélectionnés: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Transistors RF Infineon

Les transistors RF Infineon comportent des transistors à haute linéarité et des amplificateurs à faible bruit. Les composants figurant dans la catégorie à faible bruit sont basés sur une technologie de silicium bipolaire. Une fréquence de transition modérée de fT < 20 GHz procure facilité d'utilisation et stabilité. La tension de rupture peut soutenir en toute sécurité une tension d'alimentation de 5 V. Ces transistors conviennent à une utilisation AM sur VHF/UHF, jusqu'à 14 GHz.

Transistors à haute linéarité fournissant un OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point, point d'intersection au 3e ordre en sortie) supérieur à 29 dBm. Ils sont basés sur les technologies SiGe:C et bipolaires de silicium en gros volume d'Infineon pour atteindre les meilleurs chiffres au niveau du bruit de leur catégorie. Ces composants sont idéaux pour les pilotes, pré-amplificateurs et amplificateurs à tampon.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

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