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AIMZA75R007M2HXKSA1

Name: Infineon AIMZA75R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMZA75R007M2HXK
Price: 30.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-AIMZA75R007M2HXK

N° de fab. :

AIMZA75R007M2HXKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET Automotive SiC MOSFET, 750 V

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

AIMZA75R007M2HXKSA1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	30,81 €	30,81 €
	25,21 €	252,10 €
	22,27 €	2 227,00 €
25 000	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	PG-TO-247-4
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	172 A
Rds On - Résistance drain-source:	9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 11 V, + 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	169 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	263 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	78 S
Conditionnement:	Tube
Produit:	Power MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	18 ns
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	CoolSiC Automotive Power Device
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Raccourcis pour l'article N°:	AIMZA75R007M2H SP006113236

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