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AIMDQ75R020M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R020M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R020M2HXT
Price: 13.79 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-AIMDQ75R020M2HXT

N° de fab. :

AIMDQ75R020M2HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC Automotive Power Device 750 V G2

Cycle de vie:

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Fiche technique:

AIMDQ75R020M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	13,79 €	13,79 €
	11,23 €	112,30 €
	9,37 €	937,00 €
	8,36 €	4 180,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 750)
	7,85 €	5 887,50 €
2 250	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-HDSOP-22
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	86 A
Rds On - Résistance drain-source:	25 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	-7 V to + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	59 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	340 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	27 S
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	10 ns
Nombre de pièces de l'usine:	750
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Automotive Power Device
Délai de désactivation type:	22 ns
Délai d'activation standard:	11 ns
Raccourcis pour l'article N°:	AIMDQ75R020M2H SP006089223

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