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AIMDQ75R007M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R007M2HXT
Price: 29.74 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-AIMDQ75R007M2HXT

N° de fab. :

AIMDQ75R007M2HXTMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

AIMDQ75R007M2HXTMA1 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	29,74 €	29,74 €
	24,34 €	243,40 €
	21,50 €	2 150,00 €
	21,40 €	10 700,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 750)
	21,36 €	16 020,00 €
2 250	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	SiC MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PG-HDSOP-22
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	750 V
Id - Courant continu de fuite:	220 A
Rds On - Résistance drain-source:	9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	5.6 V
Qg - Charge de grille:	164 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	789 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	CoolSiC
Marque:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	AT
Temps de descente:	10 ns
Transconductance directe - min.:	78 S
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	SiC MOSFET
Type de produit:	SiC MOSFETS
Temps de montée:	18 ns
Série:	CoolSiC G2
Nombre de pièces de l'usine:	750
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Type de transistor:	1 N-Channel
Type:	Automotive MOSFET
Délai de désactivation type:	40 ns
Délai d'activation standard:	17 ns
Raccourcis pour l'article N°:	AIMDQ75R007M2H SP005982740

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2

Les MOSFET CoolSiC™ automobile 750 V G2 d’Infineon Technologies sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications des véhicules électriques (VE) telles que les convertisseurs de traction, les chargeurs embarqués (OBC) et les convertisseurs CC/CC haute tension. Ces MOSFET en carbure de silicium (SiC) offrent une efficacité, une densité de puissance et des performances thermiques exceptionnelles, permettant ainsi la mise au point de systèmes de mobilité électrique de nouvelle génération. Avec une tension nominale de 750 V et la technologie CoolSiC™ de deuxième génération, ces dispositifs offrent un comportement de commutation amélioré et des pertes réduites par rapport aux solutions traditionnelles en silicium. Le portefeuille comprend une plage de valeurs R_DS(on)de 9 mΩ à 78 mΩ, offrant aux concepteurs la flexibilité nécessaire pour optimiser les performances de conduction et de commutation.