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1EDI60I12AF

Name: Infineon 1EDI60I12AF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDI60I12AF
Price: 2.53 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

726-1EDI60I12AF

N° de fab. :

1EDI60I12AF

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Commandes de grilles 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output

Fiche technique:

1EDI60I12AF Fiche technique (PDF)

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	2,53 €	2,53 €
	1,64 €	16,40 €
	1,49 €	37,25 €
	1,26 €	126,00 €
	1,18 €	295,00 €
	1,03 €	515,00 €
	0,95 €	950,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,95 €	2 375,00 €

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

1EDI60I12AFXUMA1

Conditionnement:

Reel, Cut Tape

Disponibilité:

En stock

Prix:

2,15 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Commandes de grilles
RoHS:
Produit:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Type:	High-Side
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DSO-8
Nombre de pilotes:	1 Driver
Nombre de sorties:	1 Output
Courant de sortie:	6 A
Tension d’alimentation - Min.:	3.1 V
Tension d’alimentation - Max.:	17 V
Configuration:	Inverting, Non-Inverting
Temps de montée:	10 ns
Temps de descente:	9 ns
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	1ED Compact
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	DE
Type de logique:	CMOS
Délai de désactivation max.:	330 ns
Délai d'activation max.:	330 ns
Sensibles à l’humidité:	Yes
Pd - Dissipation d’énergie :	400 mW
Type de produit:	Gate Drivers
Temps de propagation maximal:	330 ns
Arrêt:	Shutdown
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Nom commercial:	EiceDRIVER
Raccourcis pour l'article N°:	SP001037208 1EDI60I12AFXUMA1
Poids de l''unité:	83 mg

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Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542310075
ECCN:: EAR99

CI pilote de grille EiceDRIVER™

Les CI pilotes de grille EiceDRIVER™ Infineon sont conçus pour les MOSFET, les IGBT, les MOSFET SiC et les dispositifs HEMT GaN. Les pilotes de grille EiceDRIVER™ fournissent une large gamme d’options de courant de sortie standard, de 0,1 A à 10 A. Ces composants disposent de solides caractéristiques de protection du pilote de grille telles que la protection rapide contre les courts-circuits (DESAT), la pince Miller active, la protection contre les courants traversants, les défaillances, l’arrêt et la protection contre les surintensités. Ces caractéristiques rendent ces CI de pilote bien adaptés aux dispositifs de puissance au silicium et à large bande interdite, notamment CoolGaN™ et CoolSiC™. C’est pourquoi Infineon offre plus de 500 solutions de CI de pilote de grille EiceDRIVER™ adaptées à n’importe quel commutateur de puissance et à n’importe quelle application.

EiceDRIVER™ Isolated & Non-Isolated Gate Drivers

Infineon EiceDRIVER™ Isolated and Non-Isolated Gate Drivers provide optimized low- and high-voltage gate driver solutions for MOSFETs, IGBTs, and IGBT modules. These isolated and non-isolated gate driver ICs are designed to build reliable and efficient applications. An optimum gate drive configuration is essential for all power switches, whether they are in discrete form or in a power module. Infineon gate drivers provide a wide range of typical output current options, from 0.1A up to 10A, suitable for any power device size.

1-Channel EiceDRIVER™ MOSFET Gate Driver ICs

Infineon Technologies 1-Channel EiceDRIVER™ MOSFET Gate Driver ICs are the crucial link between control ICs, powerful MOSFET, and GaN switching devices. These gate driver ICs enable high system-level efficiencies, excellent power density, and consistent system robustness.

Pilotes de grille isolés

Les pilotes de grille isolés Infineon utilisent la technologie de transformateur sans noyau (CT) à couplage magnétique pour transférer le signal à travers l’isolation galvanique. Ces pilotes sont des produits de base fonctionnels, à isolation renforcée, homologués UL 1577 et VDE 0884. L'isolation permet des variations de tension très importantes (par exemple, ±1 200 V). Ces pilotes isolés intègrent les caractéristiques et paramètres clés les plus importants pour les MOSFET, IGBT, modules IGBT, MOSFET SiC et pilotage HEMT GaN.

Découvrez la différence de puissance

Infineon est le leader du marché des semi-conducteurs de puissance. Fort de plus de 20 ans d’expérience et en tant qu’innovateur de la technologie révolutionnaire MOSFET à super-jonction CoolMOS™, Infineon continue d’être pionnier dans le domaine de la gestion de l’alimentation. Les clients peuvent choisir en fonction des exigences individuelles de conception/système parmi la plus large gamme de MOSFET SJ à base de silicium du marché. En tant que l’un des rares fabricants maîtrisant les trois principales technologies d’alimentation, Infineon complète cet assortiment avec une offre révolutionnaire à large bande interdite (WBG). Cette offre comprend des MOSFET CoolSiC™ au carbure de silicium, des diodes correspondantes et des HEMT e-mode CoolGaN™ au nitrure de gallium. Diverses solutions sont disponibles, offrant un excellent rapport qualité-prix, une robustesse inégalée, ou encore des appareils parmi les meilleurs de leur catégorie Cela permet aux clients de construire des applications plus efficaces, plus respectueuses de l’environnement et plus durables.

Infineon Automatic Opening Systems

Infineon Automatic Opening Systems incorporate smart sensors, motor controls, supplies and battery management to automate sliding, swing or garage doors, sun blinds, and gates. When automated, these doors manage opening actions, avoid unintentional opening, control speed and torque, detect objects along paths, as well as perform other functions.