IXTY1R4N120P

Name: IXYS IXTY1R4N120P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTY1R4N120P
Price: 4.35 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXTY1R4N120P

N° de fab. :

IXTY1R4N120P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds

Fiche technique:

IXTY1R4N120P Fiche technique

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DPAK-3 (TO-252-3)
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Id - Courant continu de fuite:	1.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	15 Ohms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.5 V
Qg - Charge de grille:	24.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	86 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	70
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	330 mg

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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IXTY1R4N120P

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