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IXTR16P60P

Name: IXYS IXTR16P60P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTR16P60P
Price: 9.21 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

747-IXTR16P60P

N° de fab. :

IXTR16P60P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds

Fiche technique:

IXTR16P60P Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	600 V
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Rds On - Résistance drain-source:	790 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	92 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	190 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PolarP
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	38 ns
Transconductance directe - min.:	11 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	IXTR16P60
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	60 ns
Délai d'activation standard:	29 ns
Poids de l''unité:	6 g