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IXFH26N50P

Name: IXYS IXFH26N50P
Brand: IXYS
SKU: 747-IXFH26N50P
Price: 7.81 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

747-IXFH26N50P

N° de fab. :

IXFH26N50P

Fab. :

IXYS

Description :

MOSFET HiPERFET Id26 BVdass500

Fiche technique:

IXFH26N50P Fiche technique

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,81 €	7,81 €
	4,61 €	46,10 €
	4,24 €	508,80 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	500 V
Id - Courant continu de fuite:	26 A
Rds On - Résistance drain-source:	230 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3 V
Qg - Charge de grille:	60 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	400 W
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	HiPerFET
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	KR
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Temps de descente:	20 ns
Transconductance directe - min.:	26 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	25 ns
Série:	HiPerFET
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	58 ns
Délai d'activation standard:	20 ns
Poids de l''unité:	6 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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