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IXBP5N160G

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N° Mouser :

747-IXBP5N160G

N° de fab. :

IXBP5N160G

Fab. :

IXYS

Description :

IGBTs 5 Amps 1600V

Cycle de vie:

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Fiche technique:

IXBP5N160G Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	IXYS
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-220-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	1.6 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur :	4.9 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	IXBP5N160
Conditionnement:	Tube
Marque:	IXYS
Courant de collecteur continu Ic max.:	5.7 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	KR
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	BIMOSFET
Poids de l''unité:	2,300 g

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Fiche technique

IXBP5N160G Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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