AS3016204-0108X0IWAY

Avalanche Technology
793-30162040108X0IWY
AS3016204-0108X0IWAY

Fab. :

Description :
MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 16Mb in WSON8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 85 C

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 954

Stock:
954 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
2 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
42,53 € 42,53 €
39,31 € 393,10 €
38,04 € 951,00 €
37,09 € 1 854,50 €
36,16 € 3 616,00 €
34,97 € 8 742,50 €
455 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Avalanche Technology
Catégorie du produit: MRAM
RoHS:  
WSON-8
QSPI
16 Mbit
2 M x 8
8 bit
10 ns
2.7 V
3.6 V
23 mA
- 40 C
+ 85 C
AS3016204
Tray
Marque: Avalanche Technology
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: MRAM
Nombre de pièces de l'usine: 455
Nom commercial: STT-MRAM, MRAM
Produits trouvés:
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

Serial P-SRAM Memory

Avalanche Technology Serial Persistent SRAM Memory devices are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 16Mbit. The high-performance serial persistent SRAM memory devices support Serial Peripheral Interface (SPI) with a single (108MHz) and double (54MHz) data rate modes. These P-SRAM memory devices operate from 1.71V to 2V and 2.7V to 3.6V voltage ranges. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 8-pad WSON, 8-pin SOIC, and 24-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The serial persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.

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