AS3004204-0108X0PSAY

Avalanche Technology
793-30042040108X0PSY
AS3004204-0108X0PSAY

Fab. :

Description :
MRAM Avalanche High Performance Serial P-SRAM 4Mb in SOIC8 package with QSPI - 108MHz interface, 3V, -40 C to 105 C

Fiche technique:
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Avalanche Technology
Catégorie du produit: MRAM
RoHS:  
SOIC-8
QSPI
4 Mbit
512 k x 8
8 bit
10 ns
2.7 V
3.6 V
23 mA
- 40 C
+ 105 C
AS3004204
Tray
Marque: Avalanche Technology
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: TW
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: MRAM
Nombre de pièces de l'usine: 300
Nom commercial: STT-MRAM, MRAM
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Models

USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99

Serial P-SRAM Memory

Avalanche Technology Serial Persistent SRAM Memory devices are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 16Mbit. The high-performance serial persistent SRAM memory devices support Serial Peripheral Interface (SPI) with a single (108MHz) and double (54MHz) data rate modes. These P-SRAM memory devices operate from 1.71V to 2V and 2.7V to 3.6V voltage ranges. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 8-pad WSON, 8-pin SOIC, and 24-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The serial persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.

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