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SSM2212RZ-R7

Name: Analog Devices Inc. SSM2212RZ-R7
Brand: Analog Devices
SKU: 584-SSM2212RZ-R7
Price: 9.25 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

584-SSM2212RZ-R7

N° de fab. :

SSM2212RZ-R7

Fab. :

Analog Devices

Description :

Transistors bipolaires - BJT Low Noise,Matched Dual NPN Transistor

Fiche technique:

SSM2212RZ-R7 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	9,25 €	9,25 €
	6,40 €	64,00 €
	5,33 €	533,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	4,52 €	4 520,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Analog Devices Inc.
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-8
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	20 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	40 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	40 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	50 mV
Produit gain-bande passante fT :	200 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Série:	SSM2212
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Analog Devices
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	300 at 1 mA, 200 at 10 uA
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	540 mg

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SSM2212 Dual-Matched NPN Transistor

Analog Devices SSM2212 Dual-Matched NPN Transistors are dual, NPN-matched transistor pairs specifically designed to meet the requirements of ultra-low noise audio systems. With its extremely low input base spreading resistance (rbb' is typically 28Ω) and high current gain (hFE typically exceeds 600 at IC = 1mA), the SSM2212 can achieve outstanding signal-to-noise ratios. The high current gain results in superior performance compared to systems incorporating commercially available monolithic amplifiers.