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Informations sur le produit |
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| Produit actuel | Premier Produit similaire | |||||||||||||||||||
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| Référence Mouser : | 747-IXFK26N90 | 747-IXFH24N90P | ||||||||||||||||||
| Référence du fabricant: | IXFK26N90 | IXFH24N90P | ||||||||||||||||||
| Fabricant: | IXYS | IXYS | ||||||||||||||||||
| Description: | MOSFET 26 Amps 900V 0.3 Rds | MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds | ||||||||||||||||||
| Cycle de vie: | Not Recommended for New Designs | - | ||||||||||||||||||
| Fiche technique: | IXFK26N90 Fiche technique | IXFH24N90P Fiche technique | ||||||||||||||||||
| RoHS: | ||||||||||||||||||||
Caractéristiques |
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| Marque: | IXYS | IXYS | ||||||||||||||||||
| Mode canal: | Enhancement | Enhancement | ||||||||||||||||||
| Configuration: | Single | Single | ||||||||||||||||||
| Pays d’assemblage: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||
| Pays de diffusion: | Not Available | Not Available | ||||||||||||||||||
| Pays d'origine: | PH | KR | ||||||||||||||||||
| Temps de descente: | 24 ns | 38 ns | ||||||||||||||||||
| Id - Courant continu de fuite: | 26 A | 24 A | ||||||||||||||||||
| Fabricant: | IXYS | IXYS | ||||||||||||||||||
| Température de fonctionnement max.: | + 150 C | + 150 C | ||||||||||||||||||
| Température de fonctionnement min.: | - 55 C | - 55 C | ||||||||||||||||||
| Style de montage: | Through Hole | Through Hole | ||||||||||||||||||
| Nombre de canaux: | 1 Channel | 1 Channel | ||||||||||||||||||
| Package/Boîte: | TO-264-3 | TO-247-3 | ||||||||||||||||||
| Conditionnement: | Tube | Tube | ||||||||||||||||||
| Pd - Dissipation d’énergie : | 560 W | 660 W | ||||||||||||||||||
| Type de produit: | MOSFETs | MOSFETs | ||||||||||||||||||
| Rds On - Résistance drain-source: | 300 mOhms | 420 mOhms | ||||||||||||||||||
| Temps de montée: | 35 ns | 40 ns | ||||||||||||||||||
| Série: | HiPerFET | IXFH24N90 | ||||||||||||||||||
| Quantité standard du lot: | 300 | 30 | ||||||||||||||||||
| Sous-catégorie: | Transistors | Transistors | ||||||||||||||||||
| Technologie: | Si | Si | ||||||||||||||||||
| Nom commercial: | HyperFET | HiPerFET | ||||||||||||||||||
| Polarité du transistor: | N-Channel | N-Channel | ||||||||||||||||||
| Type de transistor: | 1 N-Channel | 1 N-Channel | ||||||||||||||||||
| Délai de désactivation type: | 130 ns | 68 ns | ||||||||||||||||||
| Délai d'activation standard: | 60 ns | 46 ns | ||||||||||||||||||
| Vds - Tension de rupture drain-source: | 900 V | 900 V | ||||||||||||||||||
| Vgs - Tension grille-source: | - 20 V, 20 V | - 30 V, 30 V | ||||||||||||||||||
| Transconductance directe - min.: | - | 16 S | ||||||||||||||||||
| Qg - Charge de grille: | - | 130 nC | ||||||||||||||||||
| Vgs th - Tension de seuil grille-source : | - | 6.5 V | ||||||||||||||||||
Informations sur la commande |
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| Stock: | Non stocké | 261 Expédition possible immédiatement | ||||||||||||||||||
| Délai usine : | Demander un devis de livraison | 27 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées. | ||||||||||||||||||
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| Prix: |
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