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Informations sur le produit

Produit actuel Premier  Remplacement possible
Image: Product 747-IXFK250N10P Product 747-IXFK420N10T
Référence Mouser : 747-IXFK250N10P 747-IXFK420N10T
Référence du fabricant: IXFK250N10P IXFK420N10T
Fabricant: IXYS IXYS
Description: MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
Cycle de vie: - -
Fiche technique: IXFK250N10P Fiche technique IXFK420N10T Fiche technique
RoHS:    

Caractéristiques

Marque: IXYS IXYS
Mode canal: Enhancement Enhancement
Configuration: Single Single
Pays d’assemblage: Not Available Not Available
Pays de diffusion: Not Available Not Available
Pays d'origine: KR PH
Temps de descente: 18 ns 255 ns
Transconductance directe - min.: 50 S 110 S
Id - Courant continu de fuite: 250 A 420 A
Fabricant: IXYS IXYS
Température de fonctionnement max.: + 175 C + 175 C
Température de fonctionnement min.: - 55 C - 55 C
Style de montage: Through Hole Through Hole
Nombre de canaux: 1 Channel 1 Channel
Package/Boîte: TO-264-3 TO-264-3
Conditionnement: Tube Tube
Pd - Dissipation d’énergie : 1.25 kW 1.67 kW
Type de produit: MOSFETs MOSFETs
Qg - Charge de grille: 205 nC 670 nC
Rds On - Résistance drain-source: 6.5 mOhms 2.6 mOhms
Temps de montée: 30 ns 155 ns
Série: IXFK250N10 IXFK420N10
Quantité standard du lot: 25 25
Sous-catégorie: Transistors Transistors
Technologie: Si Si
Nom commercial: HiPerFET HiPerFET
Polarité du transistor: N-Channel N-Channel
Type de transistor: 1 N-Channel -
Délai de désactivation type: 50 ns 115 ns
Délai d'activation standard: 25 ns 47 ns
Vds - Tension de rupture drain-source: 100 V 100 V
Vgs - Tension grille-source: - 20 V, 20 V - 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 5 V 5 V

Informations sur la commande

Stock: 88 Expédition possible immédiatement 168 Expédition possible immédiatement
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Délai usine : 26 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
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