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IKW50N65ET7XKSA1

Name: Infineon IKW50N65ET7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IKW50N65ET7XKSA1
Price: 4.3 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

726-IKW50N65ET7XKSA1

N° de fab. :

IKW50N65ET7XKSA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

IGBTs 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package

Fiche technique:

IKW50N65ET7XKSA1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Package/Boîte:	TO-247-3
Style de montage:	Through Hole
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	650 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	1.35 V
Tension de l'émetteur de porte max.:	- 20 V, 20 V
Courant collecteur continu de 25 C:	80 A
Pd - Dissipation d’énergie :	273 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	IGBT7 T7
Conditionnement:	Tube
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	CN
Pays de diffusion:	DE
Pays d'origine:	DE
Courant de fuite gâchette-émetteur:	100 nA
Type de produit:	IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	240
Sous-catégorie:	IGBTs
Nom commercial:	TRENCHSTOP
Raccourcis pour l'article N°:	IKW50N65ET7 SP005348292

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

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