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BSZ0905PNSATMA1

Name: Infineon BSZ0905PNSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BSZ0905PNSATMA1
Price: 1.56 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

726-BSZ0905PNSATMA1

N° de fab. :

BSZ0905PNSATMA1

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

MOSFET TRENCH <= 40V

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

BSZ0905PNSATMA1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,56 €	1,56 €
	0,972 €	9,72 €
	0,631 €	63,10 €
	0,486 €	243,00 €
	0,439 €	439,00 €
	0,421 €	1 052,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,357 €	1 785,00 €
	0,352 €	8 800,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSDSON-8
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.7 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	43.2 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	69 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Infineon Technologies
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Temps de descente:	8 ns
Transconductance directe - min.:	30 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	46 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	16 ns
Raccourcis pour l'article N°:	BSZ0905PNS SP005399015
Poids de l''unité:	38,760 mg